1.在40GPa高压下,用激光加热到1800K,成功制得了原子晶体干冰.每摩尔原子晶体干冰含几摩尔C-O键?
1.在40GPa高压下,用激光加热到1800K,成功制得了原子晶体干冰.每摩尔原子晶体干冰含几摩尔C-O键?
2.几种键的键能(KJ/mol)：Si-Cl:360 H-H:436 H-Cl:431 Si-Si:176
问反应SiCl4(g)+2H2(g)=Si(g)+4HCl(g)的反应热为多少?
尊敬的xf2008：A.原子晶体干冰有很高的熔沸点，有很大的硬度B.原子晶体干冰易气化C.原子晶体干冰硬度大，可用作耐磨材料D.每摩尔原子晶体干冰含两摩尔C-O键
为什么第二题生成两摩尔Si-Si键？
2.几种键的键能(KJ/mol)：Si-Cl:360 H-H:436 H-Cl:431 Si-Si:176
问反应SiCl4(g)+2H2(g)=Si(g)+4HCl(g)的反应热为多少?
尊敬的xf2008：A.原子晶体干冰有很高的熔沸点，有很大的硬度B.原子晶体干冰易气化C.原子晶体干冰硬度大，可用作耐磨材料D.每摩尔原子晶体干冰含两摩尔C-O键
为什么第二题生成两摩尔Si-Si键？
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1可以和SiO2的晶体结构做一个对比,1mol原子晶体SiO2中含有4molC-O键
原子晶体硬度大、熔点和沸点高,所以A和C两种说法正确.
Si的晶体结构如图所示,每个Si和另外4个Si原子共用4个Si-Si键
所以每个硅原子的Si-Si键的个数为4/2=2个
每molSi所含Si-Si键2mol
2 1mol反应中断裂了4mol的Si-Cl键和2mol的H-H键,生成了4mol的H-Cl键和2molSi-Si键
ΔH=4*431kJ/mol+2*176kJ/mol-4*360kJ/mol-2*436kJ/mol=-236KJ/mol
SiCl4(g)+2H2(g)=Si(g)+4HCl(g) ΔH=-236KJ/mol
反应放热236KJ/mol
1可以和SiO2的晶体结构做一个对比,1mol原子晶体SiO2中含有4molC-O键
原子晶体硬度大、熔点和沸点高,所以A和C两种说法正确.
Si的晶体结构如图所示,每个Si和另外4个Si原子共用4个Si-Si键
所以每个硅原子的Si-Si键的个数为4/2=2个
每molSi所含Si-Si键2mol
2 1mol反应中断裂了4mol的Si-Cl键和2mol的H-H键,生成了4mol的H-Cl键和2molSi-Si键
ΔH=4*431kJ/mol+2*176kJ/mol-4*360kJ/mol-2*436kJ/mol=-236KJ/mol
SiCl4(g)+2H2(g)=Si(g)+4HCl(g) ΔH=-236KJ/mol
反应放热236KJ/mol
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