(2010•北京)利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.

(2010•北京)利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.

如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH[IB/d],其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.
(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式.(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);
(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.
a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.
b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想.
小积木 1年前 已收到1个回答 举报

xxzwh2010 幼苗

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解题思路:(1)、由左手定则可判断出电子的运动方向,从而判断f和c两侧的电荷聚集情况,聚集正电荷的一侧电势高.
(2)、根据题中所给的霍尔电势差和霍尔系数的关系,结合电场力与洛伦兹力的平衡,可求出霍尔系数的表达式.
(3)、由转速时间以及圆盘的周边永久磁体的个数,可表示出霍尔元件输出的脉冲数目,从而表示出圆盘转速.

(1)、由场强与电势差关系知UH=EHl.导体或半导体中的电子定向移动形成电流,电流方向向右,实际是电子向左运动.由左手定则判断,电子会偏向f端面,使其电势低,同时相对的c端电势高.
(2)、由题意得:UH=RH
IB
d…①
解得:RH=UH
d
IB=EHl
d
IB…②
当电场力与洛伦兹力平衡时,有eEh=evB
得:EH=vB…③
又有电流的微观表达式:I=nevS…④
将③、④带入②得:
RH=vBl
d
IB=vl
d
nevS=
ld
neS =
1
ne
(3)、a.由于在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,则有:
P=mNt
圆盘转速为 N=[P/mt]
b.提出的实例或设想合理即可.
答:(1)、c端电势高.
(2)、霍尔系数的表达式为[1/ne].
(3)、圆盘转速的表达式为[P/mt].

点评:
本题考点: 带电粒子在匀强电场中的运动;带电粒子在匀强磁场中的运动.

考点点评: 2010年的北京卷
所谓霍尔效应,是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时,产生横向电位差的物理现象.霍尔效应在新课标教材中作为课题研究材料,解答此题所需的知识都是考生应该掌握的.对于开放性物理试题,要有较强的阅读能力和获取信息能力.
本题能力考查层次是推理能力+应用能力(将较复杂的问题分解为几个较简单的问题,并找出它们之间的联系.)+应用能力(对问题进行合理的简化,找出物理量之间的关系,利用恰当的数学表达方式进行分析、求解,得出物理结论).
本题延续了近年来此类联系实际试题的特点,要求考生在对试题进行理论研究的同时,通过开放式的设问,让学生尝试着应用与题目相关的知识内容解决实际问题,或提出自己的设想,或对计算的结果进行评价.应该说这样的设问的设计,既能充分体现课改的基本理念,又能对中学物理教学起到良好的导向作用,同时试题也具体很好的区分度.

1年前

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