heheii
幼苗
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利用静电屏蔽的知识解决这个问题:首先,平行金属板电容器内部产生的是匀强电场,当方形空腔导体放入时,由于静电屏蔽作用,空腔内部最终会达到电场为0的状态.此时,导体成为等势体,其内部与表面的任意一点电势均相同,而AB间电势差为300V,PQ又位于AB的正中间,故AP间电势差与QB间电势差均为150V,故可知此时导体与B的电势差为150V,再根据之前得到的等势条件,故C点的电势此时仍为150V,选B
1年前
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heheii
哦哦哦,题目看漏了,不好意思~
题目中说导体距离A板1cm,而导体腔厚3cm,故其距离B板2cm。根据AB板间电势差为300V,可知,导体块与B板电势差为200V,与A板电势差为100V。而加入导体前由于C点位于AB中间,所以与B的电势差为150V。由于图中B端接地,为低电势端,故C点电势由150V变为了200V,升高了50V。
qi70858
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由于图中B端接地,为低电势端,故C点电势由150V变为了200V,升高了50V。这个不懂为什么麻烦一下了 再讲讲 我自己预习的
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heheii
是这样的,之前不是得到了“加入导体块后,导体块与B板电势差为200V”的结论么,此时,由于B接地,所以其电势为0,故此时导体的电势就是200V,同理,加入导体块前C点电势为150V,所以C点电势由150V变为200V,升高了50V。如果题目改为A接地,即B为高电势,则由“加入导体块后,导体块与B板电势差为200V”,会有加入导体块后,C点电势为100V,在此情况下,C点电势由150V变为100V,下降了50V。