半导体工艺难题!1,现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm,根据现代光学理论,曝光光刻胶的分辨

半导体工艺难题!
1,现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm,根据现代光学理论,曝光光刻胶的分辨率大约等于波长.然而,现在,在45nm器件工艺中,使用的曝光光源仍然是193nm光源,请详细回答（可以附加图形）,在此工艺中使用了什么特殊技术成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题（写出,波长和分辨率之间的关系式）.
3,从栅极形成工艺的历史来看,由最初集成电路的金属栅极到后来的多晶硅栅极再到现在最先进集成电路的金属栅极,形成了一个 “循环”.请详细阐述这个循环中各个阶段的工艺原理、不同、进步和原因.
请详细叙述（用图和语言）图所示立体电容的形成工艺过程。