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在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移率反而缓慢上升,到一定温度才下降,即温度低时杂质散射其主要作用,温度高时晶格振动散射为主.
参考 半导体物理学 刘恩科编写
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