三极管发射结电流由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区
三极管发射结电流
由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴扩散电流Iep.两者构成发射结电流Ie=Ien+Iep.空穴的移动实际上是束缚电子的移动.上面Ien不是应该包含Iep吗?Ien是由自由电子的移动和价电子的移动所形成的电流和吧?也就是说Ien=Iep+未被复合的电子的移动所形成的电流,