（2011•南通二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k
（2011•南通二模）霍尔式位移传感器的测量原理是：如图所示，有一个沿z轴方向的磁场，磁感应强度B=B0+kz（B0，k均为常数），将传感器固定在物体上，保持通过霍尔元件的电流I不变（方向如图中箭头所示）．当物体沿z轴方向移动时，由于位置不同，霍尔元件在y轴方向上的上、下表面的电势差U也不同．则（ ）A．磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大
B．k越大，传感器灵敏度（[△U/△z]）越高
C．若图中霍尔元件是电子导电，则下板电势高
D．电流I取值越大，上、下表面的电势差U越小
赞 lemon_amy 春芽
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解题思路：霍尔元件中移动的是自由电子，自由电子受到洛伦兹力发生偏转，从而可知道上下表面电势的高低．上下两表面分别带上正负电荷，从而形成电势差，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡．
A、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有q
U
c＝qvB，电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc，所以U=[BI/nqb]．B越大，上、下表面的电势差U越大．电流越大，上、下表面的电势差U越大．故A正确，D错误．
B、k越大，根据磁感应强度B=B0+kz，知B随z的变化越大，根据U=[BI/nqb]．知，U随z的变化越大，即传感器灵敏度（[△U/△z]）越高．故B正确．
C、霍尔元件中移动的是自由电子，根据左手定则，电子向下表面偏转，所以上表面电势高．故C错误．
故选AB．
点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．
考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，上下表面形成稳定的电势差．
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