(2014•保定二模)元素周期表中,金属和非金属分界线附近的元素性质特殊.其单质和化合物应用广

(2014•保定二模)元素周期表中,金属和非金属分界线附近的元素性质特殊.其单质和化合物应用广
泛,成为科学研究的热点.
(1)锗可以作半导体材料.写出基态锗原子的外围电子排布式______.
(2)环硼氮六烷的结构和物理性质与苯很相似,故称无机苯,其结构式如图所示:
①第一电离能介于B、N之间的绍二周期的元家由大到小的顺序是
②无机苯分子中B和N原子的杂化方式分别是______、______.
(3)根据价层电子对互斥理论(VSEPR)推测:AsCl3的VSEPR模型名称为______,AsO
3−
4
模型为______
(4)钋(PO)是一种放射性金属,它的晶胞的堆积棋型为简单立方堆积,钋的摩尔质量为2098g/mol,晶胞的边长为apm,则它的晶胞的密度为______g/cm3.(NA表示阿伏加德罗常数,用代数式表示晶胞密度)
jodyqi 1年前 已收到1个回答 举报

枫叶本溪 果实

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解题思路:(1)根据构造原理书写出基态锗原子外围电子排布式;(2)①同一周期元素中,元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势,但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于相邻元素;②根据分子中中心原子的价层电子对数判断;(3)根据AsCl3和AsO43-中心原子的价层电子对数,可以推得VSEPR模型;(4)根据晶胞中原子数目计算结合摩尔质量,计算晶胞质量,再根据密度定义计算晶胞的密度.

(1)根据构造原理书写出基态锗原子外围电子排布式:3d104s24p2,故答案:3d104s24p2
(2)①同一周期元素中,元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大趋势,但第IIA族、第VA族元素第一电离能大于相邻元素,根据第一电离能的变化规律,半充满的N原子和全充满的Be原子第一电离能要比同周期原子序数大的原子高,故第一电离能介于B、N之间的第二周期元素有Be、C、O三种元素,根据第一电离能的变化规律O>C>Be,故答案为:O>C>Be;
②无机苯分子中B原子的价层电子对数是3且不含孤电子对,所以B原子属于sp2杂化,N原子的价层电子对数也是3且不含孤电子对,所以N原子属于sp2杂化,
故答案为:sp2;sp2
(3)根据AsCl3中心原子的价层电子对数=σ键个数+孤电子对个数=3+1=4,所以As原子的杂化方式为sp3杂化,所以VSEPR模型名称为:正四面体,根据AsO43-中心原子的价层电子对数为=σ键个数+孤电子对个数=4,所以As原子的杂化方式为sp3杂化,所以离子的空间构型为:正四面体,
故答案为:正四面体;正四面体;
(4)晶胞的堆积棋型为简单立方堆积,则晶胞中含有1个原子,故晶胞质量为
2098
N Ag,晶胞的体积为a3×10-30cm3,故晶胞密度=

2098
N Ag
a3×10− 30cm3=2098×1030/(a3×NA)g/cm3,故答案为:2098×1030/(a3×NA).

点评:
本题考点: 原子核外电子排布;晶胞的计算;原子轨道杂化方式及杂化类型判断.

考点点评: 本题考查核外电子排布,杂化类型,空间结构及晶胞的有关计算等,难度中等,注意根据均摊法计算晶胞中原子数目,计算晶胞的棱长是计算的关键.

1年前

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