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shallow trench isolation
浅沟道隔离
特点：
能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路.
一般在器件制作之前进行,热预算小.
STI技术工艺步骤：首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化.
工艺复杂,需要回刻或者CMP
浅沟道隔离
特点：
能实现高密度的隔离,适合于深亚微米器件和DRAM等高密度存储电路.
一般在器件制作之前进行,热预算小.
STI技术工艺步骤：首先,类似LOCOS,依次生长SiO2淀积Si3N4涂敷光刻胶,光刻去掉场区的SiO2和Si3N4.其次,利用离子刻蚀在场区形成浅的沟槽.然后,进行场区注入,再用CVD淀积SiO2填充沟槽.最后,用化学机械抛光技术去掉表面的氧化层,使硅片表面平整化.
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