英语翻译SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和
英语翻译
SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学物质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,成为制造高温、高频、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及光电集成器件的优选材料.
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SIC材料是继SI、GaAs之后的第三代半导体材料.它一种宽带隙半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好等优良的物理化学物质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,成为制造高温、高频、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及光电集成器件的优选材料.
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SIC material following the SI,GaAs semiconductor material after the third generation.It is a wide bandgap semiconductor material with a large band gap,high breakdown voltage,high electron saturation drift velocity,high electron mobility,high thermal conductivity,dielectric constant is small,strong resistance to radiation,chemical stability,etc.excellent physical and chemical substances,and is compatible with silicon integrated circuit technology,etc.,into manufacturing high-temperature,high frequency,high power,radiation,non-volatile memory devices and optoelectronic integrated devices preferred material.
1年前
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