比较熔点高低~为什么SiO2的熔点高于SiF4?说的稍微详细一点...谢谢...答得好的有奖励~~

首先,两种晶体的结构都是正四面体.
二氧化硅的化学键是极性共价键,却更近似于离子晶体.氧原子与硅原子之间的价键向离子键过渡.SiO2中Si—O键的键能很高,所以在熔化破坏化学键的时候需要更多的能量.
四氟化硅中Si原子以sp3杂化轨道形成σ键,σ键比较稳定,化学键所具有的能量没有Si—O键的键能多,所以在熔化破坏化学键的时候需要的能量没有二氧化硅多.
而且,二氧化硅与氢氟酸反应则生成气态四氟化硅：SiO2(s) + 4 HF(aq) → SiF4(g) + 2 H2O(l).
所以,二氧化硅的熔点高于四氟化硅.

SiO2是原子晶体，有很多根共价键结合得很紧
SiF4是分子晶体，主要是靠范德华力
范德华力弱于共价键