电子电路求知在IGMOS中 场效应管的输出特性曲线表达式是iD=f1(uGS,uDS),其中后一项uDS是参变量.转移特

电子电路求知
在IGMOS中 场效应管的输出特性曲线表达式是iD=f1(uGS,uDS),其中后一项uDS是参变量.转移特性曲线表达式是iD=f2(uGS,uDS),参变量uGS在前,为什么相同的表达式,参变量却一个在前,一个在后,哪位先知、大侠帮我整明白,
ICMOS指绝缘栅场效应管,iD指漏极电流,uDS指漏源电压,uGS指栅源电压.我是一个求学者,我的浅薄使我的学习过程举步维艰,这是一个在西安电子科技大学的《模拟电子线路基础》中遇到的疑问,还请饱学者不吝赐教,
我的猜想是:其中两个对应法则一个f1,一个f2.这个1、2是不是指明哪个是参变量的,比如说1是指前一个量为自变量,而2就是指第二个量为自变量.请从原理上给予解释,
lech 1年前 已收到1个回答 举报

rhizomys 幼苗

共回答了19个问题采纳率:84.2% 举报

呵呵,这个问题很简单.这个表达式的意思是:
当Uds取到某个定值的条件下,iD的大小与Ugs的大小成比例.
场效应管确实比较麻烦,不过要是你仔细反复领会,应该可以看出来.
如果身边有个multisim之类的顺便仿真一下,效果会更好.

1年前 追问

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lech 举报

这个问题我懂,我只是不知道这个表达式iD=fi(ugs,uds)中,是不是通过固定的格式表明谁是参变量,谁是自变量。至于假设ugs为参变量id与uds的关系或假设uds为参变量id与ugs的关系,都较简单,我只是想知道此表达本身有没有特殊的数学意义,而不是场管的工作原理。
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