具备什么条件才能是半导体元素特点等

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质.
半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间,温度升高时电阻率指数则减小.
半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类.
锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）.除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等.
半导体（东北方言）：意指半导体收音机,因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名.
本征半导体
不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体.在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴.导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对,均能自由移动,即载流子,它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电.这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电.导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为复合.复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）.在一定温度下,电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率.温度升高时,将产生更多的电子 - 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小.无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多.

元素周期表金属和非金属分界线的两边